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| 分光エリプソメーター M-2000® |
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M-2000®の主な特徴
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特許取得済のRCE(Rotating Compensator Ellipsometer)技術[回転補償子型エリプソメーター]：
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RCEの光学構成によりどのような偏光状態でも精度良く測定出来ます。
(Δ:0°-360°、Psi:0°-90°) |
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高度な測定：
RCE技術によりM-2000は以下のような高度な測定が出来ます。
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高速測定：
- S/N比を向上させたCCDを用いた先端的な受光システムにより全ての波長を同時に測定します。 |
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柔軟な装置構成：
このM-2000®は、あらゆる応用分野の要求にこたえられる様々な架台や台座に取り付けられる柔軟性を持っています。様々な装置構成は、こちらをご覧下さい。
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広い測定波長レンジ：
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700波長まで同時測定が可能です。M-2000は様々な測定レンジの装置が選べ、1台の装置で紫外域から近赤外まで測定出来るものもあります。 |
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WVASE32 データ収集・解析ソフトウェア：
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WVASE32はデータ収集・解析ができる最も包括的なプログラムです。これは多くの光学モデルが使用でき、なおかつ最新の数学を用いたフィッティングアルゴリズムで精度の良いデータ解析が出来ます。 |
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M-2000®の各モデル
J.A.ウーラム社のエリプソメーターM-2000シリーズは、ほとんど全ての産業分野で使用できる柔軟性があります。以下が現在用意されているM-2000モデルです。
M-2000U
モデル「U」（Ultraviolet）は、誘電体やポリマー、半導体、金属などの測定でIn-Situや Ex-Situどちらの測定でも可能な様々な用途に適しています。測定波長は245nmから1000nmで半導体の臨界点をカバーし、化合物半導体の混晶比を測定したり制御することが出来ます。
470波長を同時に測定するので広い膜厚の範囲（サブnmから10ミクロン程度）を解析出来ます。 |
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| ヒートステージ（昇温ステージ）を付けたM-2000U |
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M-2000V
モデル「V」(Visible)は装置とその維持費用を抑える為QTHランプを使用しています。光学系もよりコンパクトになっており、 In-situ測定でチャンバーに搭載する際にも便利です。測定波長範囲（370nmから1000nm）は誘電体やアモルファス半導体、ポリマーなどの測定に最適です。 |
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| 固定入射角台座 M-2000V |
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M-2000D
モデル「D」は、193nmから1000nmをカバーしながら500波長を測定します。これは半導体の用途に最適です。それぞれのリソグラフィーの波長（193nm,248nm,365nm）での光学定数を測定出来ます。広い波長レンジを高速で測定できる為、屈折率や膜厚の面内分布測定が可能です。短波長測定は極薄膜の感度を増加させ、長波長測定はほとんどの材料の膜厚測定に必要な透明領域を確保できます。 |
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| サンプル垂直置ベースのM-2000D |
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近赤外域（NIR）拡張
M-2000Fを除く全てのM-2000モデルは、1000nmから1700nmまでの220波長の測定波長の拡張が出来ます。近赤外域は導電性の酸化物、可視域を吸収する材料、厚膜や光通信分野の材料に最適です。 |
M-2000F
(集光ビーム)
集光ビームのM-2000Fは、微小な点の測定が出来ます。測定領域が大変小さい場合のアプリケーションに最適な装置です。例えばパターン付きのウエハー、ハードディスクのスライダーヘッド,
曲面や球面レンズなどの適用分野があります。
特徴
| ・集光スポットサイズ： |
・25μm x 60μm
・50μm x 120μm
・75μm x 180μm
・125μm x 300μm
・175μm x 420μm |
| ・2種類の測定波長範囲： |
M-2000VF: 380 nm − 1000nm (390 波長)
M-2000UF: 245 nm − 1000nm (470 波長) |
| ・オプション： |
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自動サンプルステージ：
100mm ｘ 100mm XY |
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手動サンプルステージ：
25mm ｘ 25mm XY
50mm ｘ 50mm XY |
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Custom Alignment System
(for samples that do not lie flat)
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| 集光ビームのM-2000F |
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M-2000®エリプソメーターオプション
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近赤外（NIR）拡張：
「V」「U」「D」モデルの測定波長に1000nmから1700nmまでの220波長を追加できます。 |
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サンプル ヒート ステージ：
温度範囲は室温から300度まで。サンプル垂直置と水平置エリプソメーターどちらにも使える昇温ステージ。 |
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利用可能なベース：
1. 固定入射角 (75度), サンプル水平置
2. 手動多入射角（45度から90度）, サンプル水平置
3. 自動多入射角（45度から90度）, サンプル水平置または垂直置 |
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In-Situ パッケージ：
チャンバー用ウインドウ、傾斜ステージ、M-2000®を2.75インチの真空フランジに取付けるためのハード一式 |
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自動サンプルステージ：
100mm x 100mm XY（サンプル水平置のみ）
200mm Rq（水平サンプルステージのみ）
300mm Rq （水平サンプルステージのみ）
大きな領域の面内分布測定は FPM-2000 または MASE をご覧下さい。 |
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手動サンプルステージ：
25mm x 25mm XY（サンプル水平置のみ）
50mm x 50mm XY（サンプル水平置のみ） |
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集光ビーム：
モデル「V」「VI」： 全波長で150ミクロンの集光径
モデル「U」「D」「UI」「DI」： 全波長で300ミクロンの集光径
** M-2000Fでは50ミクロン以下の微小スポットが可能です。 |
簡易高速分光エリプソメーター α-SE™
alpha-Spectroscopic Ellipsometer |
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α-SE™の主な特徴
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使いやすい
ボタン操作一つでソフトウェアを操作できます。 |
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柔軟性
誘導体、半導体、有機物などの材料の測定に対応しています。 |
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パワフル
確かな分光エリプソメーターの技術で単一波長のエリプソメーターでは不確定な膜厚と、屈折率の測定が可能です。 |
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低価格
高レベルな測定機器よりも低価格ながら、パワフルな装置です。 |
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高速測定
100波長を数秒で同時に測定し、すぐに解析結果が出ます。 |
α-SE™ソフトウェア
モデルリストの中からモデルを選び、"Project"にデータを保存します。
そして"Measure"ボタンを押すだけです。
とっても簡単！
進歩したモデリング能力：
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分散モデルにより、どんな材料も記述できます - Cauchy, Sellmeier,
Lorentz, Guassian, Tauc-Lorentzなど |
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屈折率の勾配 |
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表面／界面の粗さ |
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| α-SE™ソフトウェア |
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α-SE™の仕様
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波長範囲：370nm から 900nm (180波長) |
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入射角度：70°または 90° |
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コンピューター接続ポート：USB Port (1.1
以上) |
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| サンプルの自動高さ調節機能つきデータ取得時間： |
3 秒. (高速モード)
10 秒. (標準モード)
30 秒. (高精度モード) |
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α-SE™必要用力
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電源：100-240VAC/1A/47-63Hz IEC320ソケット |
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重量：18Kg（39ポンド）（平面の設置すること） |
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コンピューター接続ポート：USB Port（1.1
以上） |
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| コンピューター： |
・Windows 98 以上
・USB ポート (1.1 以上) |
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